Halbleiterschichtstapel und Verfahren zu dessen Herstellung

Stichworte: Halbleiter / Isolatoren / Gruppe III Nitride

Branchen: Hersteller elektronischer Bauteile

Hintergrund: Isolierende Halbleiterschichten sind für die elektrische Isolation und eine geringe Hochfrequenzdämpfung von Halbleiterbauelementstrukturen unersetzlich. Dabei wird meist eine sogenannte tiefe Störstelle eingesetzt. Für viele Halbleiter gibt es zwar Dotanden, die tiefe Störstellen ausbilden, jedoch weisen die Halbleiter oftmals noch eine Restleitfähigkeit auf.

Die Erfindung beschreibt einen Halbleiterschichtstapel, gekennzeichnet durch mindestens zwei Schichten, die als Einzelschichten jeweils eine energetische Lage des Ferminiveaus in der Halbleiterbandlücke aufweisen, für die Schicht (A) EF-EV< EG/2 gilt und für die Schicht (B) EL-EF< EG/2 gilt, mit EF der energetischen Lage des Ferminiveaus, EV der energetischen Lage eines Valenzbands, EL der energetischen Lage eines Leitungsbands und EL - EV der Energiedifferenz der Halbleiterbandlücke EG, wobei die Dicke beider Schichten so gewählt ist, dass sich ein zusammenhängender Raumladungszonenbereich über die Schichten ergibt. Erfindungsgemäß wurde das Problem der Positionierung des Ferminiveaus nahe der Mitte der Energielücke des Halbleiters gelöst.

Ansprechpartner: Prof. Armin Dadgar, Prof. André Strittmatter

Patentanmeldungs-Nr.: DE 10 2018 15 222.1
Patentfamilie: PCT/DE2019/100572

Letzte Änderung: 07.12.2019 - Ansprechpartner: Webmaster