Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung

Stichworte: Sensorik / Polarisation

Branchen:  Hersteller von Systemen in der Umwelttechnik und im Lifescience-Bereich sowie optischer Bauelemente

Hintergrund:  Die Gruppe III-Nitride sind Halbleiter aus den Verbindungen Indium-, Aluminium- und Galiumnitrid. Diese Materialien eignen sich u.a. für den Einsatz als photoelektrische Sensoren aber auch für optische Modulatoren. Eine Herausforderung bei der Herstellung der Gruppe III-Nitride, ist die gezielte Strukturierung dieser Materialien in dünnen Schichten auf einem Substrat.

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Die Erfindung umfasst ein Halbleiterbauelement auf der Basis der Gruppe III-Nitride, einem Hetero- oder Homosubstrat, einer Gruppe-III- Nitrid-Pufferschicht, gekennzeichnet durch eine mindestens einmal wechselnde Polarität der Gruppe- III-Nitrid-Schicht im Bauelement oder von benachbarten Bauelementen durch eine lokale Beschichtung des Substrats bzw. der Gruppe-III-Nitrid-Pufferschicht mit einem bei Herstellungstemperatur nicht schmelzenden Metall. Dabei ist das nichtschmelzende Metall Ruthenium.

Ansprechpartner:  Prof. Armin Dadgar

Patent-Nr.: DE 10 2013 109 698

Letzte Änderung: 07.12.2019 - Ansprechpartner: Webmaster