Halbleiterbauelement aus einem oder mehreren Elementen der Gruppe-Ill mit Stickstoff

Stichworte: Wachstumskontrolle, Gruppe-III-Nitrid Pufferschicht

Branchen: Hersteller von Solarzellen-und Beleuchtungssystemen 

Hintergrund: Beim Schichtaufbau von Bauelementen aus der Gruppe III-Nitride kommen aus Kostengründen meist Fremdsubstrate zum Einsatz. Gruppe-III-Nitrid Eigensubstrate sind, bedingt durch den aufwendigen Herstellungsprozess, bislang sehr teuer.

Hautpatentanspruch: Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement aus einem oder mehreren Elementen der Gruppe-III mit Stickstoff, bei dem in einem Wachstumsverfahren unter optischer in-situ Kontrolle mindestens eine dotierte Schicht aus einem Material auf einem Substrat desselben Materials abgeschieden wird. Sie ist gekennzeichnet durch eine Dotierung mindestens einer Schicht resultierend in einer Ladungsträgerkonzentration in Höhe von mindestens 1 x 1019 cm-3 und der Messung von Wachstumsrate.

Ansprechpartner: Prof. Armin Dadgar, Prof. André Strittmatter

Patent-Nr.: DE 10 2015 108 878

Letzte Änderung: 18.11.2019 - Ansprechpartner: Webmaster