Gruppe-III-Nitrid-basierte Schichtenfolge, deren Verwendung und Verfahren ihrer Herstellung

Stichworte: Photovoltaik / Sensorik  

Branchen: Hersteller von Solarzellen-und Beleuchtungssystemen 

Hintergrund: Die Gruppe III-Nitride sind Halbleiter aus den Verbindungen Indium-, Aluminium- und Galiumnitrid. Diese Materialien eignen sich u.a. für den Einsatz als photovoltaische Zellen. Eine Herausforderung bei der Herstellung photovoltaischer Zellen aus der Gruppe III-Nitride ist das Aufbringen dieser Materialien in dünnen Schichten auf einem Substrat. Die Erfindung löst ein Problem der Schichtbildung auf Siliziumsubstraten, das sogenannte meltback etching und ermöglicht einen niederohmigen Heteroübergang. Durch das Verfahren sind z.B. Tandemsolarzellen auf Basis der langlebigen und strahlungsresistenten Gruppe-III-Nitride auf Silizium- oder Germaniumsubstraten möglich.

 

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Die Erfindung umfasst die Herstellung einer Gruppe-lll-Nitrid-basierte Schichtenfolge zur Verwendung in Solarzellen, zumindest umfassend:

  • eine AlxGayIn1-x-y basierte Keimschicht und eine AlxGayIn1-x`-y` N-Schicht auf einem Gruppe-IV-Substrat aus einer SiGe-Verbindung mit einer Zusammensetzung der AlxGayIn1-x-yN-Keimschicht mit x > 0,2, y ≤ 0,2 und der darauffolgenden ALxGayIn1-x`-y`N Schicht mit x`< 0,2 und x`+y`≤ 1.

Ansprechpartner: Prof. Armin Dadgar 

Patent-Nr.: DE 10 2011 108 080

Letzte Änderung: 18.11.2019 - Ansprechpartner: Webmaster